制造垂直构造LED灯芯片有两种根本办法

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制造垂直构造LED灯芯片有两种根本办法

一、剥离生长衬底；

二、不剥离生长衬底 。

其中生长在砷化镓生长衬底上的垂直构造GaP基LED灯芯片有两种构造：

一、不剥离导电砷化镓生长衬底：在导电砷化镓生长衬底上层迭导电DBR反射层，生长 GaP 基LED外延层在导电DBR反射层上。

二、剥离砷化镓生长衬底：层迭反射层在GaP基LED外延层上，键合导电支持衬底，剥离砷化镓衬底。导电支持衬底包括，砷化镓衬底，磷化镓衬底，硅衬底，金属及合金等。

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